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功率范围 | AC-DC控制芯片类型 | 芯片型号 | 芯片特点、应用说明 |
≤20W | PWM控制器(合封达林顿管) | IP2070L_02s | IP2070L_02S 高性能 SSR PWM 控制驱动芯片,合封达林顿管,用于设计15~24W的低成本 AC/DC电源转换器; 搭配IP2002LL/IP2002Ts 最高输出电压12V; 搭配IP2263 PMOS方案;搭配IP2189H3内置MOS方案 搭配IP2709做A+C共享方案 |
SR控制器(合封MOS) | IP2002LL | ||
协议 | IP2263/IP2189H3/IP2709 | ||
20W~33W 高边方案 | PWM控制器(合封coolmos) | IP2073 | 极简化外围电路设计及单板制程,成本优势明显; 突破双绕组变压器应用,提升变压器共模噪声良率; 空载功耗<75mW 硬开关方案,效率略低 IP2073_22S:内置650V/2200mOhm SJ -MOS IP2073_23S: 内置650V/1400mOhm SJ -MOS IP2073_27S: 内置650V/520mOhm SJ -MOS 覆盖20W~33W功率范围 |
SR控制器(合封MOS) | IP2002Ts/ IP2008LS | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
15W~20W 常规方案 | PWM控制器(合封coolmos) | IP2036 SOP8 | 成熟的PWM控制器IP2006H合封超结MOS IP2036_22S:内置700V/2000mOhm SJ -MOS IP2036_23S: 内置700V/1400mOhm SJ -MOS 覆盖15W~20W功率范围 |
SR控制器(合封MOS) | IP2002Ts | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
20W~35W 常规方案 | PWM控制器(合封coolmos) | IP2036 DASOP8 | 成熟的PWM控制器IP2006H合封超结MOS IP2036_23A:内置700V/1400mOhm SJ-MOS IP2036_27A: 内置670V/500mOhm SJ-MOS 覆盖20W~30W功率范围 |
SR控制器(合封MOS) | IP2008LS | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
45W | PWM控制器 | IP2006 | 通用高性能多模式AC/DC反激控制器 可选的多种工作模态; 丰富的定制化配置参数 准谐振(QR)模式下具有根据输入电压补偿的精确恒定电流(CC)输出功能 |
SR控制器 | IP2008 | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
45W | PWM控制器 | IP2017 | 零待机功耗方案 IP2017_S8 在空载输出时实现零待机功耗(5mW),此模式下IP2017_S8具有极低的工作电流(31uA)。 通用低成本SO8封装, 内置高压启动/X电容放电功能 满足零待机功耗要求(≤5mW) 可选的多种工作模态 丰富的可配置选项 |
SR控制器 | IP2028 | ||
单C口协议 | IP2723TH | ||
30W | PWM控制器(合封GAN) | IP2075 ESOP8 | 内置高压启动; 极低待机功耗; 支持多种工作模式:QR、PFM、CCM; 丰富的定制化配置参数 IP2075_32S:内置700V/800mΩ GAN IP2075_34S:内置700V/600mΩ GAN IP2075_35S:内置700V/450mΩ GAN IP2075_36S:内置700V/350mΩ GAN IP2075 ESO8 封装,覆盖20W~30W功率范围 |
SR控制器(合封MOS) | IP2008LS | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
45W | PWM控制器(合封GAN) | IP2075 DFN6*8 | 内置高压启动和 X 电容放电功能 极低待机功耗; 支持多种工作模式:QR、PFM、CCM; 丰富的定制化配置参数 IP2075_36D:内置700V/350mΩ GAN IP2075_38D:内置700V/210mΩ GAN IP2075 DFN6*8封装,覆盖45W~65W功率范围 |
SR控制器(合封MOS) | IP2008LS | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
65W | PWM控制器(合封GAN) | IP2075 DFN6*8 | 内置高压启动和 X 电容放电功能 极低待机功耗; 支持多种工作模式:QR、PFM、CCM; 丰富的定制化配置参数 IP2075_36D:内置700V/350mΩ GAN IP2075_38D:内置700V/210mΩ GAN IP2075 DFN6*8封装,覆盖33W~65W功率范围 同步整流控制器IP2028支持 CCM、DCM、QR,ZVS,AHB等工作模式 |
SR控制器 | IP2028 | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
65W | PWM控制器 | IP2006H | 常规65W单C 外推方案 通用高性能多模式AC/DC反激控制器 可选的多种工作模态; 丰富的定制化配置参数 准谐振(QR)模式下具有根据输入电压补偿的精确恒定电流(CC)输出功能 |
SR控制器 | IP2008 | ||
单C口协议 | IP2723T/IP2189H3 | ||
65W2C1A 并联方案 | PWM控制器 | IP2006H+IP2073 | 45W+20W 均流方案 全套方案实现双路均流并联:支持双路独立驱动控制光耦、双路独立控制 PWM controller feedback; 只使用一颗IP2738U_BC,C2口仅支持CC通信协议,DP2/DM2A口使用;C2A同插进入共享模式;或使用模拟开关进行DPDM自动切换可满足C2口支持DPDM协议; 单口时两路Flyback功率叠加输出,获得单口最大功率C1/C2/A=65W; 双口时独立快充,由各自的AC/DC负责对应端口的功率输出, 如C1=45W/C2=20W;C1=45W/A=18W;C2+A=15W;C1=45W/C2+A=15W |
SR控制器(合封MOS) | IP2028+IP2008LS | ||
协议 | IP2738U_BC | ||
100W2C 并联方案 无PFC | PWM控制器 | IP2006H*2+IP2073 | 两路AC/DC均流方案搭一路小功率AC/DC; C1/C2并联均流功能,单插实现两路ACDC功率叠加输出; C3+A使用IP2726协议单插快充输出,双插进入5V共享模式 |
SR控制器(合封MOS) | IP2008*2+IP2008LS | ||
协议 | IP2738U_BC+IP2726 | ||
100W BUCK_PFC | PFC控制器 | IP2015 IP2015_SABLK0001 | Buck PFC架构母线电压中压化(约80VDC),后级DC-DC转换更接近二次电源,利于模块化设计,打破传统Boost PFC架构限制; 后级变压器突破性平板PCB 4层板设计,突破八层板设计方案,成本优势明显; 后级大电解及功率开关管等均可以选用低压规格,成本进一步降低; 满足D类谐波电流要求 低压 CCM 高压 COT混合工作模式; 全数字控制模式,集成 PID 环路补偿; 兼容 SI MOSFET/GaN HEMT 驱动 |
PWM控制器 | IP2006H IP2006H_BDCCCC_ACFDQBACA2N | ||
SR控制器 | IP2028 | ||
单C口协议 | IP2723T |
一、 入门高效:≤20W 低成本方案
核心组合:IP2070L_02s (PWM合封) + IP2002LL (SR合封) + IP2263/IP2189H3/IP2709 (协议)
亮点: IP2070L_02S集成达林顿管,外围极简,是打造15-24W低成本AC/DC转换器的理想选择,搭配灵活(IP2002LL/Ts、IP2189H3、IP2709),轻松实现A+C口共享。
二、 主流之选:20W-45W 高性价比方案
20-33W 高边优化方案:
核心: IP2073 (PWM合封CoolMOS) + IP2002Ts/IP2008LS (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议)
优势: 突破双绕组变压器应用,提升共模噪声良率;空载功耗<75mW;IP2073提供多种内阻MOS型号(2200mΩ/1400mΩ/520mΩ),覆盖全功率段。
15-20W/20-35W 成熟方案:
核心: IP2036 (PWM合封CoolMOS, SOP8/DASOP8封装) + IP2002Ts/IP2008LS (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议)
优势: 基于成熟IP2006H控制器合封超结MOS,提供不同内阻版本(2000mΩ/1400mΩ/500mΩ),稳定可靠。
45W 高性能/零待机方案:
高性能: IP2006 (PWM) + IP2008 (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议) - 多模态、精准恒流(CC)输出。
零待机: IP2017 (PWM) + IP2028 (SR) + IP2723TH (协议) - 空载功耗≤5mW,满足严苛能效要求。
三、 氮化镓赋能:30W-65W 高效小型化方案
30W:
核心: IP2075 ESOP8 (PWM合封GaN) + IP2008LS (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议)
优势: 内置GaN (800mΩ-350mΩ),多工作模式(QR/PFM/CCM),低待机功耗。
45W-65W:
核心: IP2075 DFN6*8 (PWM合封GaN) + IP2008LS/IP2028 (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议)
优势: 更大功率密度,DFN封装;提供350mΩ/210mΩ GaN选项;SR控制器IP2028支持多模式(CCM/DCM/QR/ZVS/AHB)。
常规方案: IP2006H (PWM) + IP2008 (SR) + IP2723T/IP2189H3 (协议) - 稳定通用。
四、 多口智能:65W-100W 并联与创新架构
65W 2C1A 并联:
核心: IP2006H + IP2073 (PWM) + IP2028 + IP2008LS (SR) + IP2738U_BC (协议)
智能分配: 45W+20W并联,支持功率叠加(单口65W)与独立快充(如C1 45W/C2 20W),协议智能管理。
100W 2C 并联 (无PFC):
核心: IP2006H*2 + IP2073 (PWM) + IP2008*2 + IP2008LS (SR) + IP2738U_BC + IP2726 (协议)
优势: C1/C2并联均流实现单口100W;C3/A口由独立小功率AC/DC及IP2726协议控制。
100W Buck PFC 架构:
核心: IP2015 (Buck PFC控制器) + IP2006H (PWM) + IP2028 (SR) + IP2723T (协议)
革命性突破:
Buck PFC母线中压化(~80VDC),后级设计更简化、模块化。
后级变压器采用平板PCB 4层板设计,大幅降低传统Boost PFC所需的8层板成本。
后级器件可选用低压规格,进一步优化BOM成本。
满足D类谐波,数字控制,兼容Si/GaN驱动。
方案优势总结
英集芯20-100W快充方案家族具备显著优势:
全面覆盖: 从20W到100W,单口到多口,满足各种应用场景。
技术领先: 集成合封技术(CoolMOS/GaN)、零待机功耗(IP2017)、Buck PFC创新架构(IP2015),提升效率与功率密度。
极简设计: 多款合封芯片大幅减少外围元件,简化生产,降低成本(如IP2073, IP2036, IP2075)。
智能灵活: 多口并联方案(IP2738U_BC)支持智能功率分配与叠加,提升用户体验。
高性价比: Buck PFC等创新方案显著降低系统总成本,平板变压器设计突破传统高成本限制。
结语
英集芯科技凭借其强大的芯片研发和系统方案能力,为快充电源市场提供了从入门到高端的完整、高效且极具成本竞争力的解决方案。无论是追求极致性价比的20W应用,还是需要创新架构和大功率多口输出的100W设备,英集芯都能提供匹配的“芯”脏。工程师可根据具体功率需求、能效标准、成本目标和端口配置,从上述推荐方案中精准选择最优组合,打造下一代高性能快充产品。
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