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英集芯AC/DC电源芯片 - 快充控制器、GaN方案、多口PD协议 | INJOINIC

英集芯AC/DC电源芯片 - 快充控制器、GaN方案、多口PD协议 | INJOINIC （联系电话：18825255157）

英集芯提供15W-300W高效AC/DC电源解决方案：集成多模反激控制器(IP2006H/IP2006HT)、Simplest Switch(IP2073)、Buck PFC架构，支持PD/QC/UFCS多协议快充。降低待机功耗至5mW，节省10%+物料成本。

型号规格	应用说明	主控型号	外推氮化镓MOS	同步型号	协议型号
20W	IP2070L_02S 高性能 SSR PWM 控制驱动芯片，合封达林顿管，用于设计15~24W的低成本 AC/DC电源转换器；搭配IP2002LL/IP2002Ts 最高输出电压12V；搭配IP2263 PMOS方案；搭配IP2189H3内置MOS方案搭配IP2709做A+C共享方案	IP2070L	\	IP2002LL	单C：IP2263/IP2189H3
					A+C：IP2709/IP2709H
30W	极简化外围电路设计及单板制程，成本优势明显；突破双绕组变压器应用，提升变压器共模噪声良率；空载功耗<75mW 硬开关方案，效率略低 IP2073_22S：内置650V/2200mOhm SJ -MOS IP2073_23S: 内置650V/1400mOhm SJ -MOS IP2073_27S: 内置650V/520mOhm SJ -MOS 覆盖20W~33W功率范围	IP2073	\	IP2008LS	单C：IP2723T/IP2723TH
					A+C：IP2709/IP2709H
45W	内置高压启动和 X 电容放电功能极低待机功耗；支持多种工作模式：QR、PFM、CCM；丰富的定制化配置参数 IP2075_36D：内置700V/350mΩ GAN IP2075_38D：内置700V/210mΩ GAN IP2075 DFN6*8封装,覆盖45W~65W功率范围	IP2006H	INN700DA350D TO-252	IP2008	单C：IP2723T/IP2723TH
		IP2075-36D 合封GAN	\	IP2008LS	A+C：IP6537U*2
65W	合封方案：内置高压启动和 X 电容放电功能极低待机功耗；支持多种工作模式：QR、PFM、CCM；丰富的定制化配置参数 IP2075_36D：内置700V/350mΩ GAN IP2075_38D：内置700V/210mΩ GAN IP2075 DFN6*8封装,覆盖33W~65W功率范围同步整流控制器IP2028支持 CCM、DCM、QR，ZVS，AHB等工作模式	IP2075-38D 合封GAN	\	IP2008LS/IP2028	单C：IP2723T/IP2723TH
					2C：IP2738/IP2723H*2
		IP2006H	INN700TK240B TO-252	IP2008	A+C：IP2726/IP2709H
					2C+1A：IP2726H+IP2723TH+IP65502/IP2726+IP2723T+IP65502
100W 并联方案	两路AC/DC均流方案搭一路小功率AC/DC； C1/C2并联均流功能，单插实现两路ACDC功率叠加输出； C3+A使用IP2726协议单插快充输出，双插进入5V共享模式	IP2006H*2	INN700TK190B TO-252	IP2008	单C：IP2723T/IP2723TH
		IP2006H	INN700TK190B TO-252	IP2008	2C1A：IP2723T+IP2726+IP6550*2
		IP2006H*2+IP2073	INN700TK190B TO-252	IP2008*2+IP2008LS	3C1A：IP2726+IP2738+IP6550*3
100W BUCK_PFC	Buck PFC架构母线电压中压化（约80VDC），后级DC-DC转换更接近二次电源，利于模块化设计，打破传统Boost PFC架构限制；后级变压器突破性平板PCB 4层板设计，突破八层板设计方案，成本优势明显；后级大电解及功率开关管等均可以选用低压规格，成本进一步降低；满足D类谐波电流要求低压 CCM 高压 COT混合工作模式；全数字控制模式，集成 PID 环路补偿；兼容 SI MOSFET/GaN HEMT 驱动	IP2015+IP2006H		IP2028	单C：IP2723T

AC/DC同步整流电源管理芯片

IC型号	封装	工作模式	待机功耗	BV	Rds(on)	驱动电压	输出功率	接法	包装	datasheet
IC型号	封装	工作模式	待机功耗	BV	Rds(on)	驱动电压	输出功率	接法	包装	CN	EN

IP2002	SOT23-6	CCM/DCM	< 1.5mW	65 V	-	5~9 V	3.3~12V	高边/低边	3K/盘	-	-
IP2002TH	SOP8L	CCM/DCM	< 1.5mW	65 V	12mΩ	5~9 V	3.3~12V;3A	高边/低边	4K/盘	-	-
IP2002TS	SOP8L	CCM/DCM	< 1.5mW	65 V	8mΩ	5~9 V	3.3~12V;3A	高边/低边	4K/盘	-	-
IP2008	SOT23-6	CCM/DCM	< 1mW	150 V	-	5~8 V	3.3~28V	高边/低边	3K/盘	-	-
IP2008L	SOT23-6	CCM/DCM	< 1mW	150 V	-	5~9.3 V	3.3~28V	低边	3K/盘	-	-
IP2012TS	SOP8L	CCM/DCM	< 1.5mW	65 V	8mΩ	5~9 V	3.3~12V;3A	高边/低边	4K/盘	-	-
IP2028	SOT23-6	CCM/DCM/ZVS	< 1mW	120 V	-	5~9 V	3.3~21V	高边/低边	3K/盘	-	-

AC-DC反激控制器

IC型号	封装	工作模式	待机功耗	反馈模式	最高频率	功率管	供电方式	供电范围	Peak Load	外置OTP	特性	包装	datasheet
IC型号	封装	工作模式	待机功耗	反馈模式	最高频率	功率管	供电方式	供电范围	Peak Load	外置OTP	特性	包装	CN	EN

IP2006	SOT23-6	CCM+QR/QR	< 75mW	SSR	62.5/71/83/100/125/167/250/333 kHz	外置MOS/外置GaN	辅助绕组	6.5~65 V	-	-	-	3K/盘	-	-
IP2006H	SOT23-6	CCM+QR/QR	< 75mW	SSR	62.5/71/83/100/125/167/250/333 kHz	外置MOS/外置GaN	辅助绕组	6.5~65 V	-	-	-	3K/盘	-	-
IP2006HT	SOT23-6	CCM+QR/QR	< 75mW	SSR	72/95/138/184 kHz	外置MOS/外置GaN	辅助绕组	6.5~75 V	-	-	锁谷/GaN直驱	3K/盘	-	-
IP2007	SOP8L	CCM+QR/QR	< 75mW	SSR	72/95/138/184 kHz	外置MOS/外置GaN	辅助绕组	6.5~75 V	-	√	锁谷/GaN直驱	4K/盘	-	-
IP2016_S8	SOP8L	CCM+QR/QR	< 5mW	SSR	72/95/138/184 kHz	外置MOS/外置GaN	辅助绕组	6.5~75 V	-	-	锁谷/GaN直驱/X电容泄放/零功耗	4K/盘	-	-
IP2073_13H	EHSOP5	CCM+DCM	< 75mW	SSR	65/100 kHz	内置MOS	自供电	6.5~21.5 V	-	-	无需辅助绕组	1.5K/盘	-	-
IP2073_27S	SOP8L	CCM+DCM	< 75mW	SSR	65/85 kHz	内置coolMOS	自供电	6.5~21.5 V	-	-	无需辅助绕组	4K/盘	-	-
IP2075_38D	DFN18(6*8)	CCM+QR/QR	< 5mW	SSR	72/95/138/184 kHz	内置210mohm GaN	辅助绕组	6.5~75 V	-	√	锁谷/内置GaN/X电容泄放/零功耗	3K/盘	-	-

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代理品牌: 英集芯; 英诺赛科; 芯控源; 冠禹; 硅动力; 新洁能; 杰华特; 格见DSP

芯片方案中心: 无线充电ic方案; 车载充方案; 电源管理方案; 移动电源方案; 氮化镓GaN/协议; 其他芯片方案; 软件MCU

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